Фотомагнитный эффект в структурах Si$-$SiO$_{2}$

Установлены условия, необходимые для наблюдения фотомагнитного эффекта в низкоомном термически окисленном кремнии (${\rho\lesssim10\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$). Измерены спектральные зависимости фотомагнитного эффекта, изучено влияние стационарной подсветки на эти зависимости. Из фотомагнитного эффекта определены рекомбинационные параметры исследованных образцов. Установлено, что эффективная скорость поверхностной рекомбинации в изучаемом случае определяется скоростью подвода дырок к поверхности. Обсужден возможный механизм зависимости эффективной скорости поверхностной рекомбинации от уровня инжекции.