Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов

Описаны технологические основы нового способа очистки и пассивирования гидридными группами поверхности пластин кремния (Si) ориентаций (111), (110) и (100), позволяющего обеспечить высокую чистоту и гладкость поверхности на наноуровне при длительном хранении пластин при комнатной температуре на воздухе. Для создания длительной защиты поверхности Si от окисления был разработан новый состав пассивирующего раствора. Предлагаемый раствор пригоден для длительного хранения и многократного пассивирования пластин кремния. Приводится описание состава пассивирующего раствора и условий пассивирования в нем пластин Si. На подготовленных данным способом пластинах Si можно выращивать эпитаксиальные полупроводниковые пленки и различные наноструктуры. Показано, что лишь на подготовленных данным способом поверхностях Si можно выращивать эпитаксиальные пленки SiC на Si методом замещения атомов. Приводятся экспериментальные данные по зависимости структуры пленок SiC и GaN, выращенных на Si, от условий травления поверхности Si. Разработанный способ очистки и пассивирования Si пригоден как для работы в лабораторных условиях, так и может быть легко масштабирован для промышленного производства пластин Si с защитным от окисления покрытием поверхности.