RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 167–170 (Mi phts5911)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS$_{2}$

С. Н. Мустафаеваa, С. М. Асадовb, Э. М. Керимоваa

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, г. Баку

Аннотация: Исследовано влияние ионов серебра (2 мол%) на диэлектрические свойства и электропроводность выращенных методом Бриджмена–Стокбаргера монокристаллов TlGaS$_{2}$. Экспериментальные результаты по изучению частотной дисперсии диэлектрических коэффициентов монокристаллов TlGaS$_{2}\langle$2 мол% Ag$\rangle$ позволили установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда, оценить плотность состояний вблизи уровня Ферми, их разброс, среднее время и среднюю длину прыжков, а также концентрацию глубоких ловушек, ответственных за проводимость на переменном токе. Легирование монокристалла TlGaS$_{2}$ серебром приводило к увеличению плотности состояний вблизи уровня Ферми и уменьшению среднего времени и длины прыжков.

Поступила в редакцию: 17.01.2017
Принята в печать: 26.06.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45438.8517


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 156–159

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024