RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 189–195 (Mi phts5915)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка

Х. А. Абдуллинa, Л. В. Гриценкоab, С. Е. Кумековb, А. А. Мархабаеваa, Е. И. Теруковc

a Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа, Казну им. аль-Фараби
b Казахский национальный технический университет им. К. И. Сатпаева
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы структура и электрические свойства пленок ZnO, влияние отжига и плазменной обработки в атмосфере водорода на спектры фотолюминесценции пленок ZnO. Кратковременная плазменная обработка в атмосфере водорода приводит к улучшению электрических свойств и появлению интенсивной полосы краевой фотолюминесценции. Наблюдалась сильная зависимость интенсивности и формы спектра краевой фотолюминесценции от условий предварительного отжига. Показано, что спектр фотолюминесценции состоит из нескольких вкладов. Обнаружен эффект инициированного ультрафиолетовым светом увеличения интенсивности фотолюминесценции, который имеет обратимый характер, фотолюминесценция усиливается после ультрафиолетовой засветки и уменьшается до начального значения при хранении образцов в темноте. Обсуждается природа наблюдаемых метастабильных мелких доноров.

Поступила в редакцию: 11.04.2017
Принята в печать: 24.04.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45442.8607


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 177–183

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024