Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP

В рамках четырехзонной модели Кейна выполнен микроскопический анализ механизма внутризонного поглощения излучения дырками с переходом их в спин-отщепленную зону для квантовых ям на основе полупроводников InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP. Расчет проведен для двух поляризаций падающего излучения: вдоль оси роста кристалла и в плоскости квантовой ямы. Показано, что поглощение с переходом в дискретный спектр спин-отщепленных дырок имеет большую интенсивность, чем для переходов в непрерывный спектр. Проведен подробный анализ зависимости коэффициента внутризонного поглощения от температуры, концентрации дырок и ширины квантовой ямы. Показано, что данный процесс может быть основным механизмом внутренних потерь излучения для лазеров на квантовых ямах.