RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 227–232 (Mi phts5920)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Микроструктура и комбинационное рассеяние света тонких пленок Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$, осажденных на гибкие металлические подложки

А. В. Станчикa, В. Ф. Гременокa, С. А. Башкировa, М. С. Тивановb, Р. Л. Юшкенасc, Г. Ф. Новиковd, Р. Герайтисc, A. M. Саадe

a Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
b Белорусский государственный университет, г. Минск
c НИИ Центр физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
d Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
e Прикладной университет Аль-Балка, Амман, Иордания

Аннотация: Тонкие пленки Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$ получены путем селенизации послойно электрохимически осажденных и предварительно отожженных прекурсоров Cu–Zn–Sn. В качестве гибких металлических подложек использованы фольги Мо и Та. Морфология, элементный и фазовый составы, кристаллическая структура пленок Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$ исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, рентгеноспектрального микроанализа, рентгенофазового анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния света.

Поступила в редакцию: 22.03.2017
Принята в печать: 28.03.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45447.8585


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 215–220

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024