RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 276–279 (Mi phts5929)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние добавок кремния на свойства монокристаллов германия для инфракрасной оптики

А. Ф. Шиманскийa, Т. О. Павлюкb, С. А. Копытковаb, Р. А. Филатовa, А. Н. Городищеваc

a Сибирский федеральный университет, г. Красноярск
b Акционерное общество "Германий", Красноярск, Россия
c Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева

Аннотация: Выращены однородные монокристаллы твердых растворов Ge–Si с содержанием кремния от 0.2 до 0.8 ат%, легированные сурьмой. Методом инфракрасной фурье-спектроскопии в интервале температуры от 25 до 60$^\circ$С на длине волны 10.6 мкм исследовано оптическое поглощение монокристаллов с удельным электрическим сопротивлением 2–3 Ом $\cdot$ см. Установлено, что при введении кремния в Ge возрастает температурная стабильность оптических свойств кристаллов.

Поступила в редакцию: 13.03.2017
Принята в печать: 15.03.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45456.8529


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 264–267

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024