В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1,страницы 23

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

В. Н. Трухин^a, А. Д. Буравлев^b, И. А. Мустафин^ca, Г. Э. Цырлин^b, J. P. Kakko^d, H. Lipsanen^d

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^d Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, FIN-02150 Espoo, Finland

Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронно-дырочной плазмы на генерацию ТГц-излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах на основе GaAs, выращенных методами MOVPE. Было показано, что временна́я динамика фотовозбужденных носителей заряда в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах определяется транспортом носителей заряда, как электронов, так и дырок, временем захвата электронов и дырок на поверхностные уровни.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45313.40