Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs

При помощи спектроскопии фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы гибридные квантово-размерные структуры, полученные осаждением слоев In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As различной номинальной толщины на вицинальные подложки GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Спектры фотолюминесценции таких структур представляют собой суперпозицию двух линий, что свидетельствует о бимодальном распределении размеров и (или) формы излучающих объектов. Доминирующая линия связана с излучением гибридных наноструктур “квантовая яма–квантовые точки”, представляющих собой плотный массив квантовых точек относительно небольшого размера с малой энергией локализации электронов и дырок. Вторая, менее интенсивная, линия связана с излучением массива квантовых точек малой плотности и большего размера. Проведенный анализ относительной интенсивности спектральных линий при различных температурах показывает, что плотность квантовых точек большего размера возрастает при увеличении толщины осажденного слоя InGaAs.