RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 63–67 (Mi phts5942)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si

А. Н. Софроновa, Р. М. Балагулаa, Д. А. Фирсовa, Л. Е. Воробьевa, А. А. Тонкихb, А. А. Саркисянac, Д. Б. Айрапетянc, Л. С. Петросянcd, Э. М. Казарянc

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, Germany
c Российско-Армянский университет, г. Ереван
d Университет Джексона, США

Аннотация: Pассмотрены экспериментальные и теоретические результаты исследования оптического поглощения легированных структур с квантовыми точками Ge/Si в дальнем инфракрасном диапазоне, соответствующем энергиям переходов дырок из основного в нижнее возбужденное состояние размерного квантования. В рамках адиабатического приближения построена аналитическая теория размерного квантования дырок в линзообразной квантовой точке с учетом парного кулоновского взаимодействия. Показано, что наличие взаимодействия не оказывает влияния на частоты нижних межуровневых резонансов, что является отражением реализации обобщенной теоремы Кона благодаря специфической геометрии квантовой точки. Экспериментальные и теоретические значения энергии переходов находятся в хорошем согласии.

Поступила в редакцию: 22.05.2017
Принята в печать: 31.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45320.8655


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:1, 59–63

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024