RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 12, страница 1697 (Mi phts5977)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs

С. А. Блохинa, М. А. Бобровa, А. А. Блохинa, А. Г. Кузьменковab, А. П. Васильевab, Ю. М. Задирановa, Е. А. Европейцевa, А. В. Сахаровa, Н. Н. Леденцовc, Л. Я. Карачинскийad, А. М. Оспенниковe, Н. А. Малеевa, В. М. Устиновabf

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c VI Systems GmbH, Berlin, Germany
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
e АО "РИРВ", Санкт-Петербург, Россия
f Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Проведены исследования ширины линии излучения одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs. Ширина линии излучения лазера с характерным размером оксидной токовой апертуры 2 мкм достигает своего минимума $\sim$110 МГц при выходной мощности 0.8 мВт. При дальнейшем повышении выходной оптической мощности наблюдается аномальное уширение линии излучения, что, по-видимому, обусловлено ростом $\alpha$-фактора вследствие падения дифференциального усиления активной области в условиях повышенной концентрации носителей и высоких внутренних оптических потерь в микрорезонаторе. Проведена оценка величины $\alpha$-фактора двумя независимыми методами.

Поступила в редакцию: 25.05.2017
Принята в печать: 30.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45188.8657


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:1, 93–99


© МИАН, 2024