Аннотация:
Показана возможность создания тиристорных структур с внешним оптическим управлением лазерным излучением с длиной волны $\sim$800 нм на основе монокристаллических пластин полуизолирующего GaAs и слоев согласованного по параметру решетки с GaAs твердого раствора InGaP.
Поступила в редакцию: 27.04.2017 Принята в печать: 12.05.2017