RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1451–1455 (Mi phts5986)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора

И. А. Деребезовab, В. А. Гайслерac, А. В. Гайслерa, Д. В. Дмитриевa, А. И. Тороповa, S. Fischbachd, A. Schlehahnd, A. Kaganskiyd, T. Heindeld, S. Bounouard, S. Rodtd, S. Reitzensteind

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, г. Новосибирск
c Новосибирский государственный технический университет
d Институт физики твердого тела, Технический университет Берлина, Берлин, Германия

Аннотация: Представлены результаты численного моделирования и исследования гибридного микрорезонатора на основе полупроводникового брэгговского отражателя и селективно позиционированной над одиночной (111) In(Ga)As-квантовой точкой микролинзы. Излучатели на основе гибридного микрорезонатора демонстрируют эффективную накачку одиночной квантовой точки и высокую эффективность вывода излучения. Дизайн микрорезонатора может быть использован для реализации излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации, на основе одиночных полупроводниковых квантовых точек.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45089.03


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:11, 1399–1402

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024