Сильно легированные и сильно компенсированные гетероэпитаксиальные пленки германия

Тонкие (0.1$-$0.5 мкм) монокристаллические сильно легированные и сильно компенсированные гетероэпитаксиальные пленки германия получены путем термического испарения Ge на подложки полуизолирующего GaAs. Степень компенсации зависит от условий осаждения пленок и может достигать значения ${K=1}$. Легирование и компенсация осуществляются за счет диффузии в растущую пленку атомов Ga и As. Исследованы температурная зависимость удельного сопротивления пленок, эффект Холла, магнитосопротивление, спектры токового шума, электроотражение. Электрофизические и оптические свойства определяются наличием композиционного беспорядка. Оценка характерных размеров флуктуаций потенциала в исследованных пленках указывает на переход к двумерной проводимости.