Неоднородное распределение легирующей примеси в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах

Работа посвящена исследованию пространственного распределения концентрации легирующей примеси в нитевидных нанокристаллах полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Найдена эволюция функции распределения легирующей примеси в результате решения краевой задачи диффузии. Показано, как в рамках построенной модели возникает неоднородность концентрации примеси, наблюдаемая экспериментально при легировании GaAs нитевидных нанокристаллов бериллием и в некоторых других системах материалов.