RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 35–39 (Mi phts6)

Соотношение усиления и затухания ультразвука при акустоэлектронном взаимодействии в сульфиде кадмия

В. И. Миргородский, А. А. Аветисян

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Аннотация: Разработана новая методика исследования акустоэлектронного усиления в фотопроводящем сульфиде кадмия, позволяющая ослабить влияние на результаты экспериментов рассеяния акустических пучков на неоднородностях кристаллов. Основной отличительной особенностью методики является применение для регистрации звука акустоэлектрических детекторов, чувствительность которых к искажениям фазовых фронтов принимаемых волн, как известно, значительно ниже, чем у используемых обычно пьезопреобразователей. В результате экспериментов впервые на целом ряде образцов получено устойчивое согласование экспериментальных данных с выводами теории акустоэлектронного усиления Уайта с точностью около 2%. Это подтверждает предположение о том, что наблюдаемые обычно рассогласования экспериментальных результатов с теорией связаны с неоднородностями кристаллов, а также показывает, что при практической реализации предельных параметров акустоэлектронных усилителей целесообразно использование акустоэлектрического детектирования выходных акустических сигналов.

Поступила в редакцию: 09.01.1984
Принята в печать: 01.07.1985



© МИАН, 2024