В. И. Борисов, Н. А. Кувшинова, С. П. Курочка, В. Е. Сизов, М. В. Степушкин, А. Г. Темирязев, “Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11,страницы 1534

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии

В. И. Борисов^a, Н. А. Кувшинова^a, С. П. Курочка^b, В. Е. Сизов^a, М. В. Степушкин^ab, А. Г. Темирязев^a

^a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва

Аннотация: Квазиодномерные полупроводниковые структуры с изменяемым продольным потенциальным рельефом созданы методом импульсной силовой нанолитографии, выполняемой с использованием атомно-силового микроскопа. Структуры изготавливались на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с глубоким (130 нм от поверхности) залеганием двумерного электронного газа. Потенциальный профиль канала формировался с помощью секционированных планарных затворов, созданных по обеим сторонам канала. Электрические параметры полученных структур, измеренные при температурах до 1.5 K, подтвердили эффективность примененного метода для создания изолирующих областей с латеральными размерами $\sim$10 нм.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45106.20