Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом

В выращенных методом жидкофазной эпитаксии GaAs-структурах с дырочным типом проводимости методами емкостной спектроскопии (адмиттанс-спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней) обнаружены три глубоких акцепторных уровня с энергиями активации $\sim$0.7, $\sim$0.41 и $\sim$0.16 эВ. Первые два уровня известны как HL2, HL5 и связываются с особенностями роста слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Они являются эффективными рекомбинационными центрами, определяющими обратные токи в $p$–$i$–$n$-диодах, что подтверждается изучением температурных зависимостей обратных токов. Уровень с энергией $E_{v}$+0.16 эВ может быть связан с двухзарядным акцепторным уровнем собственного антиструктурного дефекта GaAs, который в однозарядном состоянии определяет уровень легирования структур.