RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1547–1551 (Mi phts6006)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Особенности циклотронного резонанса в трехмерных топологических изоляторах

Р. В. Туркевичab, В. Я. Демиховскийa, А. П. Протогеновab

a Нижегородский государственный университет
b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Изучаются особенности циклотронного резонанса в топологических изоляторах семейства Bi$_{2}$Te$_{3}$. Энергетический спектр электронных возбуждений на поверхности этих соединений в магнитном поле обладает симметрией $C_{3V}$. Используя квазиклассические уравнения движения, которые учитывают кривизну Берри и магнитный момент, мы нашли, что спектр циклотронных частот содержит дополнительные гармоники, связанные с анизотропией спектра. Исследование этих гармоник позволяет прояснить вклад топологических характеристик в наблюдаемые величины.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45109.23


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:11, 1495–1499

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024