RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1346–1350 (Mi phts6016)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Спектры отражения кристаллов $p$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ : Sn в широкой ИК области

С. А. Немовab, Ю. В. Улашкевичc, А. А. Аллаххахa

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Измерены спектры отражения кристалла $p$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ : Sn в диапазоне 50–7900 см$^{-1}$. Спектры имеют особенности, характерные для плазменных колебаний носителей и вклада фононов. Показано, что использование в рамках теории Друде–Лоренца диэлектрической функции, включающей вклады плазменных колебаний дырок и двух фононов, хорошо описывает экспериментальные данные, полученные при комнатной температуре и при температуре $T$ = 78 K.

Поступила в редакцию: 27.03.2017
Принята в печать: 05.04.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45011.8592


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:10, 1295–1299

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024