Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP

Представлены результаты исследования синтезированных на подложке InP (100) лазеров с длиной волны излучения около 1.5 мкм, характеризующихся высокой температурной стабильностью. В качестве активной области лазера были использованы самоорганизованные квантовые точки InAs, покрытые тонким слоем GaAs. Волноводным/матричным слоем являлся четверной твердый раствор InGaAsP с шириной запрещенной зоны 1.15 эВ. Высокая характеристическая температура порогового тока $T_{0}$ = 205 K в температурном диапазоне 20–50$^\circ$C была достигнута в лазерных диодах с гребешковым волноводом. Была обнаружена взаимосвязь между значениями $T_{0}$ и шириной запрещенной зоны волноводных слоев.