Деградация параметров транзисторных датчиков температуры под действием ионизирующего облучения

Исследовано влияние эффективной концентрации задающей тип проводимости базовой области примеси и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины потоков электронов, нейтронов и $\gamma$-квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на 2 порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра, что повышает процент выхода годных приборов.