RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
2017
, том 51,
выпуск 10,
страницы
1426–1433
(Mi phts6030)
Эта публикация цитируется в
8
статьях
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs
Д. Л. Алфимова
a
,
Л. С. Лунин
ab
,
М. Л. Лунина
a
,
Д. А. Арустамян
b
,
А. Е. Казакова
b
,
С. Н. Чеботарев
ab
a
Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
b
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Аннотация:
Обсуждаются результаты выращивания изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs. Исследованы состав, кристаллическое качество и люминесцентные свойства гетероструктур.
Поступила в редакцию:
28.12.2016
Принята в печать:
28.02.2017
DOI:
10.21883/FTP.2017.10.45025.8511
Полный текст:
PDF файл (338 kB)
Список цитирования
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017,
51
:10,
1377–1384
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024