RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1182–1184 (Mi phts6036)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода

Н. А. Соболевa, А. Е. Калядинa, Е. И. Шекa, К. Ф. Штельмахab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Исследовано влияние температуры измерения в диапазоне 5–130 K на спектры ФЛ (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода с энергией 350 кэВ и дозой 3.7 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ и отожженном при 700$^\circ$C в течение 1 ч в хлорсодержащей атмосфере. Температурная зависимость интенсивности линии характеризуется участками возгорания интенсивности с энергией 23.1 мэВ и гашения интенсивности с энергиями 41.9 и 178.3 мэВ. С ростом температуры линии сдвигаются в длинноволновую сторону, а их полуширина увеличивается.

Поступила в редакцию: 20.02.2017
Принята в печать: 01.03.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44880.8561


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:9, 1133–1135

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024