Спектры оптических переходов между собственными электронными состояниями чистой поверхности (110) соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

С применением методов модуляционной спектроскопии оптического отражения получены детальные спектры оптических переходов на чистых поверхностях скола (110) основных соединений группы A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$. В спектрах идентифицированы переходы, связанные с собственными электронными состояниями чистых поверхностей (110). Эти переходы расположены по энергии вблизи объемных переходов $E_{1}$ и ${E_{1}+\Delta_{1}}$ выше края прямого поглощения. Переходы поляризованы с ${E\parallel [\bar{1}10]}$. Измеренные по оптическим спектрам значения энергетических зазоров между заполненными и пустыми поверхностными состояниями в целом согласуются с имеющимися теоретическими расчетами, а также (в случае GaAs) и с существующими данными по фотоэмиссии.