RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1064–1067 (Mi phts6069)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Структура пластин твердого раствора Bi$_{2}$Se$_{0.3}$Te$_{2.7}$, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена

В. Д. Демчеглоa, А. И. Воронинa, Н. Ю. Табачковаa, В. Т. Бубликa, В. Ф. Пономаревb

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Кристалл", Королев, Россия

Аннотация: Проведен анализ анизотропии свойств твердого раствора Bi$_{2}$Se$_{0.3}$Te$_{2.7}$ с помощью построения указательных поверхностей для коэффициентов термоэлектрической эффективности и термического расширения. Текстура является важным фактором, формирующим анизотропию свойств и технологическую пригодность слитка для изготовления модулей. Проведен анализ анизотропии свойств на основе изучения текстуры в слитках, полученных модифицированным методом Бриджмена (выращивание термоэлектрических пластин в плоской полости). Анализ текстуры показал, что для предложенного метода кристаллизации существенным фактором, влияющим на формирование структуры термоэлектрического материала, является не только скорость кристаллизации, но и конструктивное исполнение кристаллизационной полости. При уменьшении толщины пластины в результате изменения условий теплоотвода в тонком зазоре можно получить более совершенную структуру.

Поступила в редакцию: 31.01.2017
Принята в печать: 08.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44789.58


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:8, 1021–1023

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024