Аннотация:
Исследованы спектры фотолюминесценции изотипных
InGaAsP/InP ДГС (${\lambda=1.3}$ мкм) с толщиной активной области
${d_{a}=60\div 230}$ Å. В спектрах структур с
${d_{a}=120\div230}$ Å при высоком уровне фотолюминесценции
обнаружен ряд максимумов, обусловленных эффектами размерного квантования.
Показано, что число и положение этих максимумов находятся в хорошем
соответствии с результатами теоретических расчетов для модели прямоугольной
потенциальной ямы, глубина которой в зоне проводимости не менее
$0.5\Delta E_{g}$.