RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 3, страницы 437–441 (Mi phts607)

Квантово-размерные эффекты в спектрах люминесценции жидкофазных InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области 230$-$60 Å

Д. З. Гарбузов, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, А. Е. Свелокузов, А. В. Овчинников


Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции изотипных InGaAsP/InP ДГС (${\lambda=1.3}$ мкм) с толщиной активной области ${d_{a}=60\div 230}$ Å. В спектрах структур с ${d_{a}=120\div230}$ Å при высоком уровне фотолюминесценции обнаружен ряд максимумов, обусловленных эффектами размерного квантования. Показано, что число и положение этих максимумов находятся в хорошем соответствии с результатами теоретических расчетов для модели прямоугольной потенциальной ямы, глубина которой в зоне проводимости не менее $0.5\Delta E_{g}$.



© МИАН, 2024