Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC

Исследовано воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на эпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC, выращенные методом сублимации на полуизолирующих подложках 4$H$-SiC. Изменения параметров образцов регистрировали методом эффекта Холла и по спектрам фотолюминесценции. Метод Холла был применен для раздельной оценки влияния облучения на концентрацию и подвижность носителей заряда. Скорость удаления носителей $(V_{d})$ составила $\sim$110 см$^{-1}$. Полная компенсация образцов с исходной концентрацией носителей заряда 6.5 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$ наблюдалась при дозах облучения $\sim$6 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. Подвижность носителей заряда при таких дозах облучения уменьшалась всего в 2.5 раза. По сравнению с 4$H$ и 6$H$ карбида кремния не было отмечено значительного увеличения интенсивности так называемой “дефектной” фотолюминесценции.