RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1110–1115 (Mi phts6079)

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние температуры электролита на процесс катодного осаждения нитевидных наноструктур Ge из водных растворов на частицах In и Sn

И. М. Гаврилинa, Д. Г. Громовa, А. А. Дроновa, С. В. Дубковa, Р. Л. Волковa, А. Ю. Трифоновba, Н. И. Боргардтa, С. А. Гавриловa

a Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Зеленоград, Россия
b Государственный научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф. В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования роста нитевидных структур Ge из водных растворов электролитов при различных температурах с использованием массивов наночастиц In и Sn в качестве центров кристаллизации. Температура процесса катодного осаждения Ge из водных растворов оказывает существенное влияние на строение слоя, осаждаемого на поверхность. При наличии частиц металлов в расплавленном состоянии происходит рост нитевидных структур Ge за счет катодного восстановления ионов, содержащих Ge, на поверхности электрода с последующим растворением и кристаллизацией в расплаве на границе с подложкой. Полученные результаты показывают решающую роль наличия жидких частиц металла в процессе электрохимического формирования нитевидных нанокристаллов германия.

Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 01.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44799.8482


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:8, 1067–1071

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024