RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1125–1130 (Mi phts6081)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей

Т. Т. Мнацакановa, А. Г. Тандоевa, М. Е. Левинштейнb, С. Н. Юрковa, J. W. Palmourc

a Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина, Москва, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Wolfspeed, Cree Company, USA

Аннотация: Получено аналитическое выражение для вольт-амперной характеристики диода Шоттки при высоком уровне инжекции неосновных носителей заряда. Вплоть до самых высоких значений плотности тока падение напряжения на диоде тем больше, чем выше уровень легирования базы. Проанализирован физический механизм, обусловливающий возникновение этого “парадоксального” результата. Численный расчет с помощью программы, учитывающей полную совокупность нелинейных эффектов, обусловленных высоким уровнем инжекции в базовом слое и сильным легированием эмиттерной области, подтверждает справедливость полученного аналитического результата.

Поступила в редакцию: 30.01.2017
Принята в печать: 15.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44801.8478


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:8, 1081–1086

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024