RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 880–883 (Mi phts6089)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Транспортные свойства гетероэпитаксиальных пленок на основе теллурида висмута в сильных магнитных полях

Л. Н. Лукьянова, Ю. А. Бойков, О. А. Усов, В. А. Данилов, М. П. Волков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены исследования температурных и магнитополевых зависимостей гальваномагнитных свойств гетероэпитаксиальных пленок $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ в магнитных полях до 14 Тл при низких температурах. Показано, что ступени на магнитополевых зависимостях квантового эффекта Холла и плато на температурных зависимостях магнетосопротивления в пленках обусловлены топологическими поверхностными состояниями фермионов Дирака.

Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44632.18


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:7, 843–846

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024