Температурная зависимость флуктуационных избыточных токов через контакт металл–полупроводник

Рассчитан ток через контакт металл–полупроводник в предположении, что в области объемного заряда полупроводника имеется сильная компенсация. Показано, что флуктуации потенциала, обусловленные флуктуациями концентрации заряженных примесей, приводят к значительному увеличению тока через контакт и ослаблению его температурной зависимости.