Релаксационная спектроскопия пограничных состояний в МДП структурах с учетом туннельных переходов носителей заряда в свободную зону

Для двух релаксационных методов спектроскопии пограничных состояний на границе раздела полупроводник–диэлектрик [нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) и термостимулированного разряда МДП конденсатора] развита теория температурных зависимостей измеряемых сигналов с учетом авто-, термоавто- и термоэмиссионного опустошения моноэнергетических пограничных состояний. Показано, что туннельное опустошение пограничных состоянии приводит к сдвигу характерных пиков в сторону меньших температур или к их исчезновению. Сформулированы условия проведения спектроскопии пограничных состояний, при которых аномалии, вызванные туннельными переходами, несущественны.