Эффект Парселла в одномерных разупорядоченных фотонных кристаллах

Проведено исследование изменения вероятности спонтанной эмиссии для излучателя, помещенного в одномерный разупорядоченный фотонный кристалл. Показано, что для диполя, помещенного в разупорядоченный фотонный кристалл, возможно как усиление спонтанной эмиссии (если частота соответствует собственной оптической моде структуры), так и подавление спонтанной эмиссии (в случае запрещенной зоны или когда позиция соответствует узлу в профиле электрического поля собственной моды). Показано, что при большом уровне разупорядочения фотонная запрещенная зона сужается, а вероятность эмиссии в центре фотонной запрещенной зоны становится существенно отличной от нуля. Показано, что при большом уровне разупорядочения в фотонной запрещенной зоне возможно появление локализованных состояний, для которых спонтанная эмиссия значительно усилена.