RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 729–732 (Mi phts6122)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Расчет теплопроводности наноструктурированного Bi$_{2}$Te$_{3}$ с учетом реального фононного спектра

Л. П. Булатa, Д. А. Пшенай-Северинbc, В. Б. Освенскийd, Ю. Н. Пархоменкоd

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
d ОАО "Гиредмет", Москва, Россия

Аннотация: Приведены результаты расчета теплопроводности решетки в теллуриде висмута и оценки ее снижения в наноструктурированном материале за счет граничного рассеяния. Расчет проводился с использованием метода решеточной динамики с учетом реального спектра фононов и фонон-фононного взаимодействия. Его результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными для кристаллического материала. Оценки для наноструктурированного материала дали снижение теплопроводности на 30% при размерах зерен 20 нм. Проводится сравнение данного метода расчета с расчетами, использующими приближенные методы описания спектра и процессов рассеяния. Показано, что наименьшее отличие в оценках (около 10%) может быть получено при использовании приближения постоянного матричного элемента фонон-фононного рассеяния с коррекцией частотной зависимости для акустических мод.

Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44544.03


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 695–698

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024