RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 744–747 (Mi phts6126)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Синтез и электрофизические свойства термоэлектрического материала на основе Bi$_{2}$Te$_{3}$, легированного лантаноидами Er, Tm, Yb и Lu

М. Н. Япрынцев, Р. А. Любушкин, О. Н. Соклакова, О. Н. Иванов

Белгородский государственный национальный исследовательский университет

Аннотация: Нанопорошки Bi$_{2}$Te$_{3}$ и R$_{0.1}$Bi$_{1.9}$Te$_{3}$ (где R = Er, Tm, Yb, Lu) были получены методом сольвотермально-микроволного синтеза. Порошкообразные материалы компактировали методом холодного изостатического прессования с последующим отжигом в инертной среде аргона. Изучено влияние легирующей добавки редкоземельных элементов на структуру и свойства получаемых материалов. Показано, что введение в решетку теллурида висмута атома редкоземельного элемента (2 ат%) приводит к снижению удельного электрического сопротивления и к росту значений коэффициента Зеебека. Установлено, что в исследованном ряду редкоземельных элементов наилучшие свойства проявляет образец теллурида висмута, легированный тулием.

Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44548.07


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 710–713

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024