RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 748–751 (Mi phts6127)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn$_4$Sb$_3$

В. П. Панченкоab, Н. Ю. Табачковаb, А. А. Ивановa, Б. Р. Сенатулинb, Е. А. Андреевb

a ОАО "Гиредмет", Москва, Россия
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва

Аннотация: Проведено исследование влияния условий синтеза на структуру и термоэлектрические свойства материалов на основе антимонида цинка. Рассмотрены вопросы влияния избыточного Zn, режимов искрового плазменного спекания и легирования In на фазовый состав и термостабильность свойств полученного материала. Материал получали методом прямого сплавления компонентов и методом искрового плазменного спекания. Показано, что при определенных режимах искрового плазменного спекания введение избыточного количества Zn и легирование In позволяют получить материал $\beta$-Zn$_4$Sb$_3$ со значением термоэлектрической эффективности $ZT\approx$ 1.47 при температуре 720 K, который показал стабильность свойств в рамках проведенных испытаний.

Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44549.08


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 714–717

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024