RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 759–762 (Mi phts6130)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Влияние катионного и анионного замещений в дисульфиде и диселениде вольфрама на электропроводность и термоэдс

Г. Е. Яковлеваa, А. И. Романенкоa, А. С. Бердинскийb, В. А. Кузнецовa, А. Ю. Ледневаa, С. Б. Артемкинаa, В. Е. Федоровa

a Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Исследованы температурные зависимости электропроводности и коэффициента термоэдс для серии образцов W$_{1-x}$Nb$_{x}$S$_{2}$, W$_{1-x}$Nb$_{x}$Se$_{2}$, WS$_{2-y}$Se$_{y}$, W$_{1-x}$Nb$_{x}$S$_{2-y}$Se$_{y}$ при низких температурах. Установлено, что катионное замещение W атомами Nb приводит к увеличению электропроводности и уменьшению коэффициента термоэдс. Анионное замещение S атомами Se приводит к одновременному увеличению электропроводности и коэффициента термоэдс. Наибольшее значение фактора мощности среди изученных образцов имеет материал W$_{0.8}$Nb$_{0.2}$Se$_{2}$.

Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44552.12


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 725–728

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024