Барьерная гетероструктура $n$-ZnO/$p$-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди

В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура $p$-CuI/$n$-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365–370 нм барьерная гетероструктура $n$-ZnO/$p$-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление $R_{sh}\cdot S_{c}$ = 879 Ом $\cdot$ см$^{2}$, последовательное сопротивление $R_{s}\cdot S_{c}$ = 8.5 Ом $\cdot$ см$^{2}$, коэффициент выпрямления диода $K$ = 17.6, высота выпрямляющего барьера $p$–$n$-перехода $\Phi$ = 1.1 эВ, коэффициент идеальности диода $\eta$ = 2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0 $<U<$ 0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения J$_{0}$ составили 6.4 $\cdot$ 10$^{-6}$ мА $\cdot$ см$^{-2}$ для механизма рекомбинации и туннельного переноса и 2.7 $\cdot$ 10$^{-3}$ мА $\cdot$ см$^{-2}$ для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда.