RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 588–593 (Mi phts6150)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

М. М. Мездрогинаa, А. Я. Виноградовa, В. С. Левицкийb, Е. Е. Теруковаb, Ю. В. Кожановаc, А. С. Агликовb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Уменьшение концентрации дефектов в пленках ZnO, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, дает возможность эффективного легирования акцепторными примесями как в катионной (Li), так и анионной подрешетках (N$^{+}$) и получение дырочного типа проводимости с воспроизводимыми параметрами (концентрации, подвижности) носителей заряда. Легирование азотом производилось с помощью отжига пленок ZnO в атмосфере высокочастотного газового разряда. В результате измерений с помощью эффекта Холла (методика Ван-дер-Пау) показано, что использование тонких слоев Eu, нанесенных на поверхность ZnO-пленок, приводит к увеличению концентрации и подвижности основных носителей заряда. Введение металлических примесей, отличающихся по размерам ионных радиусов (Ag, Au), в катионную подрешетку пленок ZnO с целью компенсации напряжений несоответствия дает возможность увеличения концентрации центров излучательной рекомбинации.

Поступила в редакцию: 25.10.2016
Принята в печать: 03.11.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44411.8437


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:5, 559–564

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024