Аннотация:
В рамках теории функционала плотности проведено моделирование кристаллической структуры и электронного строения кристаллов GeC, SiC, SnC и сверхрешеток на их основе: GeC/SiC, SnC/SiC, SnC/GeC. Получены равновесные постоянные кристаллических решеток, вычислены зонные спектры, плотности состояний и изучены особенности формирования валентной зоны и химической связи в рассматриваемых кристаллах и сверхрешетках.
Поступила в редакцию: 20.10.2016 Принята в печать: 28.09.2016