RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 680–688 (Mi phts6167)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров

А. И. Гусевab, С. К. Любутинa, С. Н. Рукинa, С. Н. Цырановab

a Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург

Аннотация: Исследован процесс спада напряжения на силовых тиристорах, переключаемых в проводящее состояние волной ударной ионизации, возбуждаемой подачей на основные электроды тиристора импульса перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах на тиристор с рабочим напряжением 2 кВ подавалось напряжение со скоростью нарастания $dU/dt$ в диапазоне 0.5–6 кВ/нс. Численное моделирование показало, что расчетные и экспериментально наблюдаемые времена спада напряжения имеют количественное согласие только в том случае, когда величина активной площади структуры, через которую проходит ток переключения, зависит от $dU/dt$. Активная площадь увеличивается с возрастанием $dU/dt$, а также с увеличением удельного сопротивления исходного кремния. При этом активная площадь монотонно приближается к полной площади структуры при $dU/dt>$ 12 кВ/нс.

Поступила в редакцию: 06.10.2016
Принята в печать: 26.10.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44429.8367


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:5, 649–656

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024