RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 689–694 (Mi phts6168)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев $n$-CdSe/слюда

Э. А. Сенокосовa, В. И. Чукитаa, Р. А. Хамидуллинa, В. Н. Чебанa, И. Н. Одинb, М. В. Чукичевb

a Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, г. Тирасполь
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Приведены экспериментальные результаты исследования выходных характеристик четырехконтактных полупроводниковых позиционно-чувствительных фотоприемников, изготовленных на основе эпитаксиальных фоточувствительных слоев $n$-CdSe/слюда. Проведен теоретический анализ позиционной чувствительности слоев на основе элементарной теории токопротекания и модели электрического диполя. Установлено, что теоретические характеристики координатной чувствительности исследованных позиционно-чувствительных фотоприемников коррелируют с экспериментальными зависимостями как по форме кривых, так и положению максимумов. Результаты определения удельной спектральной чувствительности свидетельствуют о перспективности слоев $n$-CdSe в качестве позиционно-чувствительных фотоприемников.

Поступила в редакцию: 15.09.2016
Принята в печать: 02.11.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44430.8406


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:5, 657–662

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024