Механизм $S$-образной ВАХ в многослойной изотипной GaAs$-$AlGaAs-гетероструктуре

Экспериментально и теоретически исследован механизм протекания тока поперек слоев в изотипной многослойной $n$-GaAs${-N^{0}$-AlGaAs}-гетероструктуре с сильно легированными узкозонными и слабо легированными широкозонными слоями. Показано, что при толщинах слоев порядка 1000 Å в структуре возможна реализация нового явления — накопления энергии в электронной подсистеме сильно легированных узкозонных областей. Этот эффект приводит к появлению $S$-образной ВАХ. Проведенные экспериментальные исследования однозначно показали, что появление $S$-образной ВАХ связано с узкозонными сильно легированными слоями, находящимися между слабо легированными широкозонными. Проведенные расчеты качественно хорошо согласуются с экспериментальными результатами. Приборы на основе таких структур должны обладать высоким быстродействием, соизмеримым с частотой межэлектронных столкновений в сильно легированных областях.