Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях

Приведены сравнительные характеристики фотовольтаических преобразователей лазерного излучения на основе арсенида галлия с $p$-эмиттером, сформированным диффузией из газовой фазы в присутствии сурфактантов (изовалентных примесей) и без них. Показано, что использование индия и фосфора в процессе формирования $p$–$n$-перехода существенно влияет на характеристики полученных приборов.