Флуктуационные уровни для неосновных носителей в вырожденных полупроводниках

Рассчитана полная плотность связанных состояний неосновных носителей в вырожденном полупроводнике в рамках модели равномерно заряженной сферы для электрического заряда флуктуации. Показано, что во флуктуационных ямах для типичных значений эффективной массы неосновных носителей помещается, как правило, всего лишь один уровень. Поэтому квазиклассическая формула для плотности состояний весьма неудовлетворительно описывает заполнение флуктуационных ям неосновными носителями. На конкретном примере антимонида индия $n$-типа показано, что захват дырок на флуктуационные уровни при пониженных температурах приводит к сильному уменьшению эффективного коэффициента диффузии.