RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 339–341 (Mi phts6206)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Размерные и температурные зависимости ширины запрещенной зоны квантовых точек селенида кадмия во фторофосфатных стеклах

Ж. О. Липатова, Е. В. Колобкова, А. Н. Бабкина, Н. В. Никоноров

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Исследованы температурные и размерные зависимости изменения ширины запрещенной зоны квантовых точек CdSe с диаметрами 2.4, 4.0 и 5.2 нм во фторофосфатных стеклах. Показано, что для квантовых точек температурный коэффициент смещения ширины запрещенной зоны $dE_{g}/dT$ отличается от значения для объемного полупроводника и строго зависит от размера наночастиц. Показано, что каждый энергетический переход квантовых точек обладает своим значением температурного коэффициента энергии $dE/dT$.

Поступила в редакцию: 18.05.2016
Принята в печать: 17.08.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44204.8330


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:3, 326–328

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024