Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах фосфидгаллиевых светодиодов зеленого спектра излучения

Проведено исследование статистической задержки микроплазменного пробоя в фосфидгаллиевых светодиодах зеленого спектра излучения. В температурном диапазоне 300–380 K обнаружено необычное сильное влияние глубоких центров на статистическую задержку лавинного пробоя при изменении их зарядового состояния снижением обратного напряжения на $p$–$n$-переходе. Выявлено четыре глубоких уровня и определены их параметры.