Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов в режиме лавинного пробоя

Изготовлены 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диоды с однородным лавинным пробоем при напряжении 1860 В. В лавинном режиме измерены импульсные вольт-амперные характеристики диодов до плотности тока 4000 А/см$^{2}$. Показано,что напряжение лавинного пробоя растет при повышении температуры. Определены лавинное сопротивление диодов (8.6 $\cdot$ 10$^{-2}$ Ом $\cdot$ см$^{2}$), скорость дрейфа электронов в $n_{0}$-базе при полях выше 10$^{6}$ В/см (7.8 $\cdot$ 10$^{6}$ см/c), относительный температурный коэффициент напряжения пробоя (2.1 $\cdot$ 10$^{-4}$ K$^{-1}$).