RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 426–430 (Mi phts6222)

Эта публикация цитируется в 19 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO$_{2}$ : Sb при использовании скоростного сепаратора частиц

Л. С. Паршинаa, О. Д. Храмоваa, О. А. Новодворскийa, А. А. Лотинa, И. А. Петуховb, Ф. Н. Путилинb, К. Д. Щербачевc

a ИПЛИТ РАН – филиал Федерального научно-исследовательского центра "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Россия
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва

Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения со скоростной сепарацией частиц на подложках кварцевого стекла без последующего отжига получены тонкие пленки SnO$_{2}$ : Sb при различных условиях осаждения в диапазоне плотности энергии на мишени от 3.4 до 6.8 Дж/см$^{2}$. Исследованы их оптические, структурные и электрические свойства. Установлено, что плотность энергии на мишени влияет на проводимость и пропускание пленок SnO$_{2}$ : Sb. Определены оптимальные условия получения пленок бескапельным методом импульсного лазерного осаждения. Минимум удельного сопротивления 1.2 $\cdot$ 10$^{-3}$ Ом $\cdot$ см наблюдался при плотности энергии на мишени 4.6 Дж/см$^{2}$, температуре подложки 300$^\circ$C и давлении кислорода в вакуумной камере в процессе осаждения 20 мТорр.

Поступила в редакцию: 09.08.2016
Принята в печать: 17.08.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44220.8387


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:3, 407–411

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024